硅是一種重要的濺射靶原材料，主要用在反應(yīng)磁控濺射法鍍制SiO2 以及SiN 等介質(zhì)層，作為重要的功能
薄膜材料，它們具有良好的硬度、光學(xué)、介電性質(zhì)及耐磨抗蝕等特性，在光學(xué)、微電子等領(lǐng)域有著廣泛
的應(yīng)用前景，是目前國(guó)際上廣泛關(guān)注的功能材料。目前主要用于LCD透明導(dǎo)電玻璃，建筑LOW-E 玻璃以及
微電子產(chǎn)業(yè)。
硅靶一般可以分為單晶和多晶兩種類(lèi)型。
本公司采用直拉晶體生長(zhǎng)技術(shù)制造單晶，多晶靶材，晶粒均勻，直徑可以達(dá)到11英寸，可以加工成長(zhǎng)方
形、圓形等各種形狀，還可以根據(jù)用戶(hù)圖紙加工特殊尺寸要求的靶材。
產(chǎn)品規(guī)格：
材料純度：>99.999%
生長(zhǎng)方法:直拉（CZ）
晶向：P or N
金屬雜質(zhì)含量：（Al/Fe/Ca/Mg/Cu/Co/Ni/Cr/Mn/Ti/Na/K//P/W/Mo/Zn/Sn）：<2ppm
長(zhǎng)*寬：客戶(hù)定制
厚度：客戶(hù)定制
平整度（TIR）:<1.2m
局部平整度（STIR）:<0.3μm
翹曲度（Warp）:<30μm
